序号

项目

名称

项目

选址

建设规模、内容及效益等

合作方式

联系单位

及联系人等

1

年产1000万片汽车电子芯片项目

义安经济开发区

    项目规划用地38亩，新建标准化厂房、技术研发中心、办公综合楼及其它辅助用房2万平方米，并购置相关生产设备。主要生产工艺：晶片毛胚—氧化—化学机械抛光—光敏液涂霜—光刻—腐蚀—清洗—离子嵌入—半导体结构化晶片—裸片分离—植入外壳—连接外线—封装—检验和包装。项目建成后，可年产1000万颗汽车电子芯片。

    本项目估算总投资1.3亿元，建成后，年实现销售收入1.68亿元，实现利税0.58亿元，可解决就业岗位220个。

    项目由投资方独资建设，政府协助项目单位争取国家、省和市相关扶持政策。

区招商局

陈  颖
189****0191

2

年产5000万件柔性电致变色薄膜器件项目

义安经济开发区

    项目规划用地30亩，新建标准化厂房、技术研发中心、办公综合楼及其它辅助用房1.6万平方米，并购置相关生产设备。项目建成后，可年产5000万件柔性电致变色薄膜器件。

    本项目估算总投资2亿元，建成后，年实现销售收入5.6亿元，实现利税1.5亿元，可解决就业岗位180个。

    项目由投资方独资建设，政府协助项目单位争取国家、省和市相关扶持政策。

区招商局

陈  颖
189****0191

3

年产5000万只MEMS传感器

项目

义安经济开发区

    项目规划用地30亩，新建厂房、技术研发中心、办公综合楼、仓储及辅助配套用房20000平方米，建成后，年产5000万只MEMS传感器。MEMS加工工艺主要包括硅加工工艺与非硅加工工艺两大类。非硅加工工艺的代表技术为LIGA工艺；硅加工工艺包括体硅加工工艺和表面硅加工工艺两大类别。

    项目估算总投资2.1亿元，建成达产后年实现销售收入7.5亿元，实现利税1.9亿元，解决就业岗位300余人。

    项目由投资方独资建设，政府协助项目单位争取国家、省和市相关扶持政策。

区招商局

陈  颖
189****0191

4

年产6000万只硅基功率场效应晶体管项目

义安经济开发区

    项目规划用地40亩，新建厂房、技术研发中心、办公综合楼、仓储及辅助配套用房19000平方米，引进高能离子注入设备，激光退火设备和薄片Taiko设备,建成达产后年产6000万只硅基功率场效应晶体管。

    硅基功率场效应晶体管工艺流程：

镀膜→清洗→光阻涂覆→曝光→显影→蚀刻→光刻胶剥离→检查

    项目估算总投资2.6亿元，建成达产后年实现销售收入3.8亿元，实现利税1.63亿元，解决就业280余人。

    项目由投资方独资建设，政府协助项目单位争取国家、省和市相关扶持政策。

区招商局

陈  颖
189****0191

5

年产80万只绝缘栅双极型

晶体管（IGBT）项目

义安经济开发区

    项目规划用地40亩，新建厂房、技术研发中心、办公综合楼、仓储及辅助配套用房23000平方米，引进高能离子注入设备，激光退火设备和薄片Taiko设备,建成达产后年产80万只绝缘栅双极型晶体管。

    IGBT工艺流程：

    丝网印刷→自动贴片→真空回流焊接→超声波清洗→缺陷检测（X光）→自动引线键合→激光打标→壳体塑封→壳体灌胶与固化→端子成形→功能测试

    项目估算总投资1.86亿元，建成达产后年实现销售收入2.4亿元，实现利税0.84亿元，解决就业200余人。

    项目由投资方独资建设，政府协助项目单位争取国家、省和市相关扶持政策。

区招商局

陈  颖
189****0191